Grâce à une conception de transistors verticale plutôt qu’horizontale, IBM et Samsung estiment pouvoir doubler les performances ou l’autonomie de nombreux appareils, comme les smartphones
IBM et Samsung ont annoncé une percée dans la conception des puces, avec des transistors empilés verticalement, par opposition à la structure plate des SoC actuels. Avec les processeurs et les SoC actuels, les transistors sont disposés à plat sur la surface du silicium et le courant électrique circule latéralement d’un transistor à l’autre. Dans les transistors à effet de champ à transport vertical (VTFET), les transistors sont placés perpendiculairement les uns aux autres et le courant circule verticalement.
Selon IBM et Samsung, cette conception devrait permettre de dépasser les limitations actuelles des nanofeuilles d’IBM. Cela devrait donner, au choix, des avantages en termes de performances ou d’autonomie. Les deux constructeurs estiment que les VTFET conduiront à des processeurs qui seront soit deux fois plus rapides, soit 85 % moins énergivores que les transistors (FinFET) actuels.
IBM et Samsung ont également déclaré que cela pourrait conduire à des smartphones pouvant durer une semaine complète avec une seule charge, ou rendre des tâches même très intenses, telles que l’extraction de cryptomonnaie, plus efficace.
« L’annonce technologique d’aujourd’hui vise à défier les conventions et à repenser la façon dont nous continuons à faire progresser la société et à proposer de nouvelles innovations qui améliorent la vie, les affaires et réduisent notre impact environnemental », indique Mukesh Khare, vice-président Cloud hybride et systèmes chez IBM Research. « IBM et Samsung démontrent leur engagement à innover conjointement dans la conception des semi-conducteurs et à poursuivre ensemble ce que nous appelons la “hard tech” ».
Les deux sociétés n’ont pour l’instant évoqué aucune date concernant l’arrivée de cette nouvelle structure de transistors.
Source: lesoir
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